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开关电源工作实用经验分享-KIA MOS管
开关电源工作经验1. 变压器图纸、PCB、原理图这三者的变压器飞线位号需一致，这是安规要求。很多工程师在申请安规提交资料时会犯这个错误。2. X 电容的泄放电阻需放两组。UL62368、CCC 要求断开一组电阻再测试 X 电容的残留电压。www.kiaic.com/article/detail/3119.html 2021-10-19
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必看好文|MOS管开关电路设计图解-KIA MOS管
MOSFET做开关管的知识：一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为用CPLD来驱动这个开关,所以选择用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题；www.kiaic.com/article/detail/3118.html 2021-10-19
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发光二极管电阻计算方法及电阻接法-KIA MOS管
发光二极管是电流控制元件，通过流过的电流，直接将电能转变为光能，故也称光电转换器。发光二极管是现代电子制作中常用的电子元件之一，它以其独特的优点深受人们的青睐。www.kiaic.com/article/detail/3117.html 2021-10-19
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发光二极管原理及LED灯带分析图解-KIA MOS管
二极管就是把一个N型半导体和P型半导体叠放一起，N型P型是向半导体中掺入了不同的杂质，由于N型、P型半导体的导电特性，在二极管的电路中电流只能由N极向P极单向导通。www.kiaic.com/article/detail/3116.html 2021-10-18
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元器件知识--限流电阻和分压电阻解析-KIA MOS管
限流电阻和分压电阻的区别是什么？外观上没区别，都是电阻，分压和限流是根据具体场景来看的，元器件对电流有要求时，对电流设计时用电阻限流，同理元件对电压有要求时用电阻来调整电压。www.kiaic.com/article/detail/3115.html 2021-10-18
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LED指示灯电路图及详细分析-KIA MOS管
LED指示灯电路图--?电路如上，一般是LED+限流电阻，作为指示灯，LED的电流不需要太大，一般1-2mA即可，电流越小LED灯越耐用，根据电流、电源电压、导通压降、就可以计算出限流电阻阻值大小，此时还要计算限流电阻的功率，从而选择合适的封装。www.kiaic.com/article/detail/3114.html 2021-10-18
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低内阻MOS管 KNX4850A 500V9A原厂直销 免费送样-KIA MOS管
KNX4850A 500V9A产品特征符合RoHS标准RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V低栅极电荷使开关损耗最小化快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/3113.html 2021-10-15
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常用的IGBT单体缓冲吸收电路分享-KIA MOS管
RS单体吸收电路( 1 )抑制关断浪涌电压效果好。( 2 )最适用于斩波器。( 3 ) IGBT容量较大时, R1 , R2阻值选取小,开通时增加了IGBT集电极的容性开通电流,损耗增加，IGBT的功能受到限制。www.kiaic.com/article/detail/3111.html 2021-10-15
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开关电源变压器的分布电容与漏感问题-KIA MOS管
分布电压就是由两个存在压差而又相互绝缘的导体所产生的。其实在任何电路中，任何两个存在压差的绝缘导体之间都会形成分布电容，只是大小不同的问题。一般在高频电路和精密仪器中尤其要注意采取措施降低分布电容影响。www.kiaic.com/article/detail/3110.html 2021-10-14
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开关电源中的尖峰吸收电路详细分析-KIA MOS管
开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp一般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感L通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关元件在通断工作时，往往会产生较大的电压浪涌与电流浪涌。www.kiaic.com/article/detail/3109.html 2021-10-14
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尖峰脉冲吸收电路图文分享-KIA MOS管
从上图可以看到，尖峰脉冲吸收电路就是一个RC吸收电路。至于在DC/DC哪里加RC吸收电路，这里有一个规律，就是在开关管开/关的时候，跟电感形成一个回路。www.kiaic.com/article/detail/3108.html 2021-10-14
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轻松解决反激开关管的Vds电压尖峰问题-KIA MOS管
首先来看看MOS应力公式：（理想化处理，不影响结论）Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5这里两个主要参数的意义：1、Lk是变压器漏感（实际还应包含PCB寄生电感）；2、C1为RCD钳位电容（实际还应包含MOS DS两端的电容，一般远小于C1，故忽略）。www.kiaic.com/article/detail/3107.html 2021-10-13
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VDMOS与COOLMOS的区别分析及应用-KIA MOS管
SJ MOSFET的技术主要有两种，其一为由英飞凌（Infineon）开发的多磊晶技术，藉由掺杂（doping）磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域，使该区域扩散形成一个氮掺杂（N-doped）平面。www.kiaic.com/article/detail/3106.html 2021-10-13
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IGBT：平面型与沟槽型结构特性详解-KIA MOS管
很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的，而沟槽栅IGBT的电流就是在垂直方向上流动的。其实这是一个误解，不论平面型还是沟槽型的IGBT，电流都是在垂直方向上流动的。www.kiaic.com/article/detail/3105.html 2021-10-13